设为首页 | 添加收藏 今天是:2025年12月16日 星期二

2021-10-11 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院——大功率蓝光半导体激光器研发 德信体育东莞光电研究院与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院开展大功率蓝光半导体激光器研发项目合作,通过制备超低缺陷GaN单晶材料生长,实现GaN基蓝光激光器的研发工作。相关研发内容分别得到广东省科技厅及广东省基础与应用基础研究基金委员会相关专项的支持。

查看更多 +

2021-10-11 中国人民解放军63919部队——可定制的照明环境模拟设备研制 德信体育东莞光电研究院与中国人民解放军63919部队开展项目合作,研制照明环境模拟设备,该设备具备LED灯、荧光灯、白炽灯等不同光源,可配置亮度、色温、显色性等各种照明环境参数,可调节光源安装位置和角度,可调整直接眩光和反射眩光效果及水平。

查看更多 +

2021-10-11 与中山大学、中国科学院国家空间科学中心——GaN基THz器件研制及应用 德信体育东莞光电研究院与中山大学、中国科学院国家空间科学中心联合开展GaN基THz器件研制项目,通过建立GaN基器件太赫兹波段的精准波形及准确高校的太赫兹倍频器涉及方法,制备GaN基倍频器模块,最终应用于卫星遥感中。充分掌握从材料、器件到模块及应用的THz器件的核心技术,从而突破国外的禁运,替代国外产品,实现核心器件国产化。该项目得到了广东省科学技术厅相关专项支持。

查看更多 +

2021-10-11 与东莞理工学校、广东中民研究院、东莞南方半导体等多家企事业单位建立战略合作关系 与东莞理工学校、广东中民研究院、东莞南方半导体等多家企事业单位建立战略合作关系

查看更多 +

2021-10-11 与高校联合建立研发平台 德信体育东莞光电研究院与东莞理工学院联合建立“东莞理工-北大光电研究院光电工程技术中心”及“第三代半导体器件联合实验室”,与广东医科大学联合建立“莞香灵芝联合研究中心”。

查看更多 +

2021-09-29 保定中创 保定中创燕园半导体科技有限公司,位于保定市高新区中关村创新中心,是德信体育宽带半导体研究中心产业化技术在保定落地形成的企业,是京津冀协同发展的重要成果之一。公司成立于2016年5月18日,注册资金1亿元人民币。公司是从事第三代半导体关键材料技术及应用的高科技企业,主营新型图形衬底(CPSS)以及高散热氮化铝陶瓷基板的研发、生产及销售。

查看更多 +

2021-09-29 纽瑞芯项目 东莞燕园创业投资有限公司旗下基金管理公司东莞博雅股权投资有限公司分别参与了深圳市纽瑞芯科技PRE-A轮7000万元融资和保定中创燕园半导体科技有限公司的A轮1亿元融资。

查看更多 +

2021-09-27 消防安全,人人有责—— 消防安全知识讲座专题培训 为切实加强消防安全管理,普及消防安全知识,提升广大员工的消防知识安全意识与防护能力,2021年8月26日下午,德信体育东莞光电研究院(以下简称“研究院”)特邀加贝家环境科技有限公司物业经理曹哲开展“消防安全知识”宣传讲座活动,来自园区物业、燕园孵化器、雷云光电、同和光电、旭鹏玻璃、亚升精密、院内各职能部门等单位的40余名员工参与了此次培训讲座。

查看更多 +

2021-09-23 九州升明月,光电贺金秋——中秋游园会活动 在中秋、国庆双节即将到来之际,为迎接中秋佳节,活跃节日气氛,丰富员工业余文化生活,德信体育东莞光电研究院(以下简称“研究院”)党支部联合行政人事部开展主题为“九州升明月,光电贺金秋”的中秋游园会活动。

查看更多 +

2021-09-18 2英寸GaN单晶衬底 (1)采用HVPE技术直接在AlN/蓝宝石衬底上生长GaN单晶层,有效节省了MOCVD制造环节,简化工艺流程。 (2)采用266nm激光对GaN/蓝宝石进行剥离,激光透过AlN缓冲层聚焦在GaN界面,AlN缓冲层吸收GaN受热分解在局域产生的热量而变成熔融态,在蓝宝石与GaN之间形成有效缓冲,减少了GaN的碎裂几率,提高了产品良率。

查看更多 +

2021-09-18 4英寸GaN单晶衬底 在自主知识产权的HVPE设备下,获得了4英寸GaN单晶体材料。XRD测试结果表明,目前工艺获得的4英寸单晶衬底的(0002)与(10-12)半峰宽都低于100弧秒,晶体位错密度达到6次方。

查看更多 +

2021-09-18 2-4英寸GaN/Al?O?复合衬底 主要研究多片式GaN衬底外延生长中的膜厚均匀性,达到片内不均匀性小于±5%,片间不均匀性小于3%;同时研究生产中的稳定性,可重复性及可控性。(1)采用HVPE技术直接制备GaN复合衬底的新工艺,简化 MOCVD制备环节,降低制造成本。(2)HVPE技术在AlN缓冲层成核生长GaN的新技术,通过五三比调控GaN成核与生长模式提高GaN晶体质量。

查看更多 +